Voltage Divider-Bias Configuration

[menuju akhir]

[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA]

DAFTAR ISI

1. Tujuan

1. Tujuan [kembali]

memahami cara merancang dan menganalisis rangkaian pembagi tegangan yang dapat digunakan untuk menentukan nilai tegangan pada titik tertentu dalam sebuah rangkaian listrik.
menggali pemahaman tentang konfigurasi bias pembagi tegangan, juga penting untuk memahami berbagai aplikasi dalam teknologi dan ilmu pengetahuan, seperti ilmu pengetahuan, seperti dalam rangkaian pengukuran tegangan, serta dalam pengembangan sirkuit elektronik lainnya.

2. Alat dan Komponen [kembali]

Transistor npn

merupakan sebuah komponen dalam elektronika yang terdiri dari dua semikonduktor tipe-n yang mengapit semikonduktor tipe-p

Resistor

merupakan sebuah komponenen elektronika yang berguna untuk menghambat arus listrik

Kapasitor

adalah sebuah komponen yang memiliki fungsi untuk menyimpan muatan listrik didalam medan listrik

ground

Grounding atau disebut juga pentanahan adalah sistem pentanahan yang terpasang pada suatu instalasi liatrik yang bekerja meniadakan beda potensial dengan mengalirkan arus sisa dan kebocoran tegangan maupun arus dari sambaran petir ke bumi

3. Dasar Teori [kembali]

rangkaian voltage divider bias

Seperti yang ditunjukkan pada Gambar 4.28, arus bias pembagi tegangan adalah arus bias yang diturunkan dari tegangan pada R2 yang terhubung ke VCC secara seri dengan R1 dan R2. Jika dianalisa dengan baik, konfigurasi pembagi tegangan pada Gambar 4.28 dapat dibias dengan sensitivitas yang sangat kecil terhadap perubahan beta. Jika parameter sirkuit dipilih dengan benar, level ICQ dan VCEQ yang dihasilkan hampir sepenuhnya independen dari beta. Titik Q ditentukan oleh level tetap ICQ dan VCEQ, seperti yang ditunjukkan pada Gambar 4.29. Level IBQ akan bervariasi dengan versi beta, tetapi titik operasi pada karakteristik yang ditentukan oleh ICQ dan VCEQ dapat tetap konstan jika parameter rangkaian yang sesuai digunakan.

Untuk analisis jaringan DC, Gambar 4.28 dapat digambar ulang seperti pada Gambar 4.30. Sisi input rangkaian kemudian dapat digambar ulang untuk analisis DC seperti yang ditunjukkan pada Gambar 4.31. Rangkaian kiri dapat dianalisis menggunakan metode Thevenin.

Seperti terlihat pada Gambar 4.32, sumber tegangan diganti dengan hubung singkat. Dengan cara ini, rumus Rth dapat diperoleh. Kemudian kembalikan sumber tegangan Vcc ke rangkaian semula seperti pada Gambar 4.33 untuk mendapatkan rumus E_th .

Setelah mendapatkan R_thdan E_th, rangkaian dapat diubah seperti pada Gambar 4.34. Kemudian kita bisa mendapatkan I_bdengan persamaan:

Berikutnya pada saat I_Bdiketahui,Jumlah bersih yang tersisa dapat ditemukan dengan cara yang sama seperti yang dikembangkan untuk konfigurasi bias emitor. Itu adalah:

Kejenuhan transistor

Rangkaian kolektor-emitor keluaran dari konfigurasi pembagi tegangan memiliki tampilan yang sama dengan rangkaian emitor bias yang dianalisis pada Bagian 4.4. Oleh karena itu, persamaan arus saturasi yang dihasilkan (ketika VCE diatur ke nol volt pada skematik) sama dengan yang diperoleh untuk konfigurasi bias emitor. Ini adalah

Analisis load-line

Kesamaan dengan rangkaian keluaran untuk konfigurasi emitor bias menghasilkan sambungan yang sama untuk saluran beban untuk konfigurasi pembagi tegangan.

4. Percobaan [kembali]

A. Langkah - langkah Percobaan

Untuk membuat rangkaian ini, pertama, siapkan semua alat dan bahan yang bersangkutan, di ambil dari library proteus
Letakkan semua alat dan bahan sesuai dengan posisi dimana alat dan bahan terletak.
Tepatkan posisi letak nya dengan gambar rangkaian
Selanjutnya, hubungkan semua alat dan bahan menjadi suatu rangkaian yang utuh
Lalu mencoba menjalankan rangkaian , jika tidak terjadi error, maka rangkaian akan berfungsi yang berarti rangkaian bekerja

B. Prinsip Kerja

Di sini jaringan pembagi tegangan digunakan untuk membiaskan konfigurasi transistor emitor umum untuk stabilitas. Nama konfigurasi bias ini berasal dari fakta bahwa dua resistor RB1 dan RB2 membentuk pembagi tegangan atau jaringan pembagi tegangan di catu daya dengan persimpangan titik pusat yang terhubung ke terminal basis transistor seperti yang ditunjukkan pada Gambar.

Bias pembagi tegangan ini adalah metode transistor biasing yang paling banyak digunakan. Dioda emitor dari transistor bias maju oleh tegangan yang dikembangkan melintasi resistor RB2. Selanjutnya, rangkaian pembagi tegangan membuat rangkaian transistor kebal terhadap perubahan beta karena tegangan bias yang diatur pada terminal basis, emitor, dan kolektor transistor tidak bergantung pada nilai rangkaian eksternal.

Untuk menghitung tegangan yang dikembangkan melintasi resistor RB2 dan tegangan yang diterapkan ke basis, kami cukup menggunakan rumus pembagi tegangan untuk resistor seri. Biasanya penurunan tegangan pada resistor RB2 jauh lebih kecil daripada resistor RB1. Jelas, tegangan basis transistor VB sehubungan dengan ground akan sama dengan tegangan pada RB2. Besarnya arus bias yang mengalir melalui resistor RB2 biasanya diatur 10 kali nilai arus basis IB yang diinginkan sehingga cukup tinggi untuk tidak mempengaruhi perubahan arus pembagi atau Beta.